第8 代BiCS FLASH™技術(shù)實現(xiàn)強大的性能和效率提升
Kioxia Corporation（鎧俠）是全球領(lǐng)先的內(nèi)存解決方案提供商，今天宣布該公司采用每單元4位的四層單元（QLC）技術(shù)的新款通用閃存1（UFS）版本4.1嵌入式內(nèi)存器件開始送樣。新款器件專為讀取密集型應(yīng)用和大容量存儲需求而設(shè)計，采用Kioxia的第8 代BiCS FLASHTM 3D閃存技術(shù)。
QLC UFS 4.1嵌入式閃存器件
QLC UFS相比傳統(tǒng)TLC UFS具有更高的位密度，非常適合需要大存儲容量的移動應(yīng)用。得益于控制器技術(shù)和糾錯技術(shù)的進步，讓QLC技術(shù)能夠在實現(xiàn)這一目標的同時，保持有競爭力的性能。
在這些技術(shù)進步的基礎(chǔ)上，Kioxia的新款器件實現(xiàn)了顯著的性能提升2。與上一代（UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS）相比，Kioxia的QLC UFS將順序?qū)懭胨俣忍嵘?5%，將隨機讀取速度提升了90%，并將隨機寫入速度提升了95%3。寫放大系數(shù)（WAF）也提升了最高3.5倍（在禁用WriteBooster的情況下）。
Kioxia QLC UFS不僅非常適合智能手機和平板電腦，此外同樣支持需要更高容量和性能的新型產(chǎn)品，包括個人電腦（PC）、網(wǎng)絡(luò)、增強現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實（AR/VR）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）以及啟用人工智能（AI）的設(shè)備。
新款UFS 4.1器件提供512 GB和1 TB兩種容量，將Kioxia先進的BiCS FLASH™ 3D閃存與集成的控制器組合在JEDEC標準封裝中。Kioxia的第8代BiCS FLASH™ 3D閃存推出了CMOS直接鍵合陣列（CBA）技術(shù)，這一架構(gòu)創(chuàng)新標志著閃存設(shè)計領(lǐng)域的一次飛躍式改變。
主要特點包括：
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符合UFS 4.1規(guī)范。UFS 4.1向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1。
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第8代Kioxia BiCS FLASH™ 3D閃存
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支持WriteBooster，顯著提升寫入速度
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封裝尺寸比上一代QLC UFS更�。簭�11×13 mm縮小至9×13 mm
相關(guān)鏈接：
Kioxia的UFS 4.1產(chǎn)品頁面
注：
(1)通用閃存（UFS）是根據(jù)JEDEC UFS標準規(guī)范建造的一個嵌入式內(nèi)存產(chǎn)品類別。由于采用串行接口，UFS支持全雙工，即可以在主機處理器和UFS器件之間實現(xiàn)并發(fā)讀寫
(2)基于Kioxia的內(nèi)部測試
(3)512GB產(chǎn)品，啟用WriteBooster時
- 凡提及某個Kioxia產(chǎn)品之處：產(chǎn)品密度是指該產(chǎn)品內(nèi)部的內(nèi)存芯片密度，而非最終用戶可用于數(shù)據(jù)存儲的內(nèi)存容量大小。由于開銷數(shù)據(jù)區(qū)域、格式化、壞扇區(qū)和其他限制的原因，用戶可用容量將會低于該值。要了解詳情，請參閱相關(guān)產(chǎn)品規(guī)格。定義：1KB = 2^10字節(jié) = 1,024字節(jié)；1Gb = 2^30位 = 1,073,741,824位；1GB = 2^30字節(jié) = 1,073,741,824字節(jié)。1Tb = 2^40位 = 1,099,511,627,776位。
- 1 Gbps = 1,000,000,000位/秒。讀寫速度是Kioxia在特定測試環(huán)境中取得的最佳值，Kioxia不保證具體器件設(shè)備上的讀取或?qū)懭胨俣取Ｗx寫速度可能因所用設(shè)備以及讀取或?qū)懭氲奈募笮《悺?/font>
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